场效应管2N7002NXAKR,深圳原装现货

地区:广东 深圳
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类别 分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 卷带(TR)
剪切带(CT)
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA(Ta),300mA(Tc)
驱动电压 5V,10V
不同 IdVgs 时导通电阻 4.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id  Vgs(th) 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 0.43 nC @ 4.5 V
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 20 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散 265mW(Ta),1.33W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-236AB
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号 2N7002

型号/规格

2N7002NXAKR

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装