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标题:
DMN2014LHAB-7 DIODES/美台
属性:制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel 得捷定制卷带
产品状态 在售
技术 MOSFET(金属氧化物)
配置 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值) 13 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(zui大值) 1.1V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(zui大值) 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值) 1550pF @ 10V
功率 - zui大值 800mW
工作温度 -55?C ~ 150?C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 U-DFN2030-6(B 类)
基本产品编号 DMN2014
分立半导体产品晶体管 DMN2014LHAB-7 DIODES/美台
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主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,能源控制
DMN2014LHAB-7
23+
DFN6
24000