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ON/安森美FDMC86262P 是一种常见的晶体管,场效应管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。
ON/安森美FDMC86262P 的参数
FET 类型 P通道
技术 :MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :150 V
驱动电压:6V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :2A(Ta),8.4A(Tc)
驱动电压:6V,10V
不同 Id 时 Vgs(th):307 毫欧 @ 2A,10V
功率耗散:2.3W(Ta),40W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
ON/安森美FDMC86262P 的作用无论在IC 设计里,还是电路板应用上,都十分广泛。尤其在大功率半导体领域,各种结构的MOSFET 更是发挥着不可替代的作用。
FDMC86262P
ON/安森美
WDFN8
22+
7795
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2A(Ta),8.4A(Tc)
6V,10V
307 毫欧 @ 2A,10V
2.3W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型