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ON/安森美FDMC86262P 是一种常见的晶体管,场效应管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。





ON/安森美FDMC86262P 的参数

FET 类型 P通道

技术 :MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 150 V

驱动电压:6V,10V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :2A(Ta),8.4A(Tc)

驱动电压6V,10V

不同 Id 时 Vgs(th)307 毫欧 @ 2A,10V

功率耗散2.3W(Ta),40W(Tc)

工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)

ON/安森美FDMC86262P 的作用无论在IC 设计里,还是电路板应用上,都十分广泛。尤其在大功率半导体领域,各种结构的MOSFET 更是发挥着不可替代的作用。

型号/规格

FDMC86262P

品牌/商标

ON/安森美

封装

WDFN8

批号

22+

库存

7795

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

2A(Ta),8.4A(Tc)

驱动电压

6V,10V

不同 Id 时 Vgs(th)

307 毫欧 @ 2A,10V

功率耗散

2.3W(Ta),40W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型