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型号:FDG6317NZ
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型号:FDG6317NZ
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型号:FDG6317NZ
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 700 mA
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 1.1 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 1.8 S
高度: 1.1 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
系列: FDG6317NZ
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 7.5 ns
典型接通延迟时间: 5.5 ns
宽度: 1.25 mm
零件号别名: FDG6317NZ_NL
单位重量: 28 mg
型号:FDG6317NZ
FDG6317NZ
ON
SOT-323-6
21+
10000