供应FQP5N60C原装ON品牌

型号：FQP5N60C

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型号：FQP5N60C

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型号：FQP5N60C

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 46 ns
正向跨导 - 小值: 4.7 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 42 ns
系列: FQP5N60C
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FQP5N60C_NL
单位重量: 2 g

型号：FQP5N60C