供应FDC6301N原装ON品牌

型号：FDC6301N

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型号：FDC6301N

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型号：FDC6301N

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 220 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 500 mV, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 490 pC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 900 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 4.5 ns
正向跨导 - 小值: 0.25 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.5 ns
系列: FDC6301N
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: FET
典型关闭延迟时间: 4 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: FDC6301N_NL
单位重量: 36 mg

型号：FDC6301N