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型号:NTGS3446T1G
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型号:NTGS3446T1G
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型号:NTGS3446T1G
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 15 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 小值: 12 S
高度: 0.94 mm
长度: 3 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
系列: NTGS3446
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 1.5 mm
单位重量: 20 mg
型号:NTGS3446T1G
NTGS3446T1G
ON
TSOP-6
21+
10000