MOSFET -30V-SUD08P06-155L-GE3

产品属性属性值
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 8.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 20.8 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 7 ns
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
系列: SUD
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SUD08P06-155L-BE3
单位重量: 330 mg

晶体管极性:

P-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

60 V

Id-连续漏极电流:

8.2 A