供应BU808DFI原装ST品牌

地区:广东 深圳
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型号:BU808DFI

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型号:BU808DFI

型号:BU808DFI

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型号:BU808DFI

产品属性 属性值 选择属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极大电压 VCEO: 700 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 1400 V
大直流电集电极电流: 8 A
Pd-功率耗散: 52 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-93
小工作温度: - 65 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU808D
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60, 20
高度: 14.9 mm
长度: 16.2 mm
产品类型: Darlington Transistors
30
子类别: Transistors
宽度: 5.65 mm


型号:BU808DFI

型号/规格

BU808DFI

品牌/商标

ST

封装

SOT-93

批号

22+

数量

8000