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型号:BDX33B
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型号:BDX33B
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型号:BDX33B
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
大直流电集电极电流: 10 A
大集电极截止电流: 1000 uA
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
小工作温度: - 65 C
大工作温度: + 150 C
系列: BDX33B
封装: Tube
商标: onsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min: 750
直流电流增益 hFE 大值: 750 at 3 A at 3 V
高度: 15.75 mm
长度: 10.53 mm
产品类型: Darlington Transistors
50
子类别: Transistors
宽度: 4.83 mm
单位重量: 6 g
型号:BDX33B
BDX33B
ST
TO-220-3
22+
6000