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型号:STW48NM60N
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型号:STW48NM60N
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型号:STW48NM60N
产品属性 属性值 选择属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 39 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 124 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 255 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: STW48NM60N
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 6 g
型号:STW48NM60N
STW48NM60N
ST
TO-247-3
21+
8000