供应STQ1HNK60R-AP原装ST品牌

型号：STQ1HNK60R-AP

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型号：STQ1HNK60R-AP

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型号:STQ1HNK60R-AP

产品属性 属性值 选择属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
封装: Ammo Pack
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 25 ns
高度: 4.95 mm
长度: 4.95 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
系列: STQ1HNK60R
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
宽度: 3.94 mm
单位重量: 453.600 mg

型号：STQ1HNK60R-AP