供应STGF19NC60KD原装ST品牌

型号：STGF19NC60KD

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型号：STGF19NC60KD

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型号:STGF19NC60KD

产品属性 属性值 选择属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220FP-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 35 A
Pd-功率耗散: 32 W
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: STGF19NC60KD
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极大连续电流 Ic: 16 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 9.3 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: IGBT Transistors
1000
子类别: IGBTs
宽度: 4.6 mm
单位重量: 2.300 g

型号：STGF19NC60KD