IGBT 晶体管 供应IRG4PC40S

型号：IRG4PC40S

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型号：IRG4PC40S

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型号：IRG4PC40S

型号：IRG4PC40S

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247AD-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.68 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 160 W
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: Discrete IGBT
资格: AEC-Q101
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
400
子类别: IGBTs
零件号别名: AUIRG4PC40S-E SP001511242
单位重量: 9.140 g

型号：IRG4PC40S