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型号:IRG4RC10UTRPBF
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型号:IRG4RC10UTRPBF
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型号:IRG4RC10UTRPBF
型号:IRG4RC10UTRPBF
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.6 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 8.5 A
Pd-功率耗散: 38 W
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: IGBT Transistors
2000
子类别: IGBTs
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP001541514
单位重量: 350 mg
型号:IRG4RC10UTRPBF
IRG4RC10UTRPBF
IR
DPAK-3
22+
8000