产品种类: MOSFET 供应IRF7329PBF

地区:广东 深圳
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型号:IRF7329PBF

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型号:IRF7329PBF


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型号:IRF7329PBF


型号:IRF7329PBF

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Qg-栅极电荷: 38 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 260 ns
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.6 ns
3800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 340 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 3.9 mm
零件号别名: SP001559806
单位重量: 540 mg

型号:IRF7329PBF

型号/规格

IRF7329PBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOIC-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率