供应IRHNJ58Z30原装IR品牌

型号：IRHNJ58Z30

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型号：IRHNJ58Z30

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型号：IRHNJ58Z30

型号：IRHNJ58Z30

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-05-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 30 ns (Max)
高度: 3.12 mm
长度: 10.28 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 100 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns (Max)
典型接通延迟时间: 25 ns (Max)
宽度: 7.64 mm
单位重量: 1 g

型号：IRHNJ58Z30