供应IRG4BH20KSPBF原装IR品牌

型号：IRG4BH20KSPBF

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型号：IRG4BH20KSPBF

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型号：IRG4BH20KSPBF

型号：IRG4BH20KSPBF

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 3.17 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 11 A
Pd-功率耗散: 60 W
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极大连续电流 Ic: 11 A
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: IGBT Transistors
1000
子类别: IGBTs
宽度: 9.65 mm
单位重量: 260.400 mg

型号：IRG4BH20KSPBF