供应IRF7809+A原装IR品牌

型号：IRF7809+A

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型号：IRF7809+A

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型号：IRF7809+A

型号：IRF7809+A

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 14.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 12 ns
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg

型号：IRF7809+A