达林顿晶体管 供应TN6725A

地区:广东 深圳
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芯片详情:

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: N
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极大电压 VCEO: 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
大直流电集电极电流: 1.2 A
大集电极截止电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 1 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-226
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 1.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25000
高度: 7.87 mm
长度: 4.7 mm
产品类型: Darlington Transistors
子类别: Transistors
宽度: 3.93 mm
单位重量: 349 mg

型号:TN6725A

类型:达林顿晶体管

深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商,致力于芯片代理、推广、销售及方案,产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、网络通讯、工业控制、仪器仪表、汽车医疗、储能,消费类电子等行业!

 

近百家原厂提供强大的渠道支持,建立了长期、稳定的战略合作关系,为了满足广大客户的即时和长期需求,深圳和香港等地设立庞大仓储;凭借良好周到的服务,赢得众多客户的高度认可。公司设立团队全程参与跟进,满足客户特殊化定制要求!


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芯片详情:

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: N
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极大电压 VCEO: 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
大直流电集电极电流: 1.2 A
大集电极截止电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 1 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-226
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 1.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25000
高度: 7.87 mm
长度: 4.7 mm
产品类型: Darlington Transistors
子类别: Transistors
宽度: 3.93 mm
单位重量: 349 mg


型号/规格

TN6725A

品牌/商标

ON(安森美)

封装

TO-226

批号

21+

数量

1550