双极结型晶体管(BJT)供应PN3645

芯片详情：

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 60 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 400 mV
大直流电集电极电流: 800 mA
Pd-功率耗散: 625 mW
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: PN3645
封装: Bulk
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 800 mA
直流电流增益 hFE 大值: 300
高度: 5.33 mm
长度: 5.2 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
2000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.19 mm
单位重量: 201 mg

型号：PN3645

类型：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商，致力于芯片代理、推广、销售及方案，产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、网络通讯、工业控制、仪器仪表、汽车医疗、储能，消费类电子等行业！

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   我司拥有多年的厂家配套经验，承接各类客户生产需求的采购货单配套，诚实守信，欢迎来电咨询！我们都以100％的热情为您真诚服务。

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制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 60 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 400 mV
大直流电集电极电流: 800 mA
Pd-功率耗散: 625 mW
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: PN3645
封装: Bulk
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 800 mA
直流电流增益 hFE 大值: 300
高度: 5.33 mm
长度: 5.2 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
2000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.19 mm
单位重量: 201 mg