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产品属性
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芯片详情:
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 小值: 7 S
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.5 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 1.4 mm
单位重量: 30 mg
型号:FDN335N_NL
类型:MOSFET
深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商,致力于芯片代理、推广、销售及方案,产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、网络通讯、工业控制、仪器仪表、汽车医疗、储能,消费类电子等行业!
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芯片详情: 产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 小值: 7 S
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.5 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 1.4 mm
单位重量: 30 mg
FDN335N_NL
ON(安森美)
SSOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装