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产品属性
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芯片详情:
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 15.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 43 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
系列: FQPF16N25C
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 105 ns
正向跨导 - 小值: 10.5 S
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 135 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 4.9 mm
零件号别名: FQPF16N25C_NL
单位重量: 2 g
型号:FQPF16N25C
类型:MOSFET
深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商,致力于芯片代理、推广、销售及方案,产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、网络通讯、工业控制、仪器仪表、汽车医疗、储能,消费类电子等行业!
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芯片详情: 产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 15.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 43 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
系列: FQPF16N25C
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 105 ns
正向跨导 - 小值: 10.5 S
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 135 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 4.9 mm
零件号别名: FQPF16N25C_NL
单位重量: 2 g
FQPF16N25C
ON(安森美)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装