供应HGT1S7N60A4DS9A原装ON

型号：HGT1S7N60A4DS9A

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公司始终坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100％原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。保证货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的永远追求。
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型号：HGT1S7N60A4DS9A

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在首位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的追求。

型号：HGT1S7N60A4DS9A

型号：HGT1S7N60A4DS9A

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263AB-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: HGT1S7N60
封装: Reel
商标: onsemi / Fairchild
集电极大连续电流 Ic: 34 A
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: IGBT Transistors
800
子类别: IGBTs
宽度: 9.65 mm
单位重量: 1.600 g
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263AB-3
安装风格: SMD/SMT

型号：HGT1S7N60A4DS9A