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型号:FDC6432SH
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型号:FDC6432SH
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型号:FDC6432SH
型号:FDC6432SH
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V, - 8 V, + 8 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 8 ns, 12 ns
正向跨导 - 小值: 7 S, 7 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns, 12 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
类型: FET
典型关闭延迟时间: 18 ns, 22 ns
典型接通延迟时间: 5 ns, 13 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: FDC6432SH_NL
单位重量: 36 mg
型号:FDC6432SH
FDC6432SH
ON
SSOT-6
22+
6000