供应SI2301CDS-T1-GE3原装VISHAY

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SI2301CDS-T1-GE3

• 品牌： VISHAY(威世)
• 封装： SOT-23(SOT-23-3)
• 描述：类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.1A 功率(Pd)：860mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA P沟道,-20V,-3.1A,112mΩ@4.5V

SI2301CDS-T1-GE3 功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，3.1 A，0.09 ohm，SOT-23，表面安装

SI2301CDS-T1-GE3是20VDSTrenchFET?P通道增强模式功率MOSFET，适用于负载开关应用。

工业，电源管理

SI2301CDS-T1-GE3参数