半导体场效应供应MRF6S21060NR1

型号：MRF6S21060NR1

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产品属性 属性值 选择属性
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
小工作温度: - 65 C
大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-4
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Drain Dual Gate
高度: 2.64 mm
长度: 17.58 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 12 V
宽度: 9.07 mm
单位重量: 1.646 g

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