供应IKP10N60T原装INFINEON品牌

型号：IKP10N60T

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型号：IKP10N60T

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型号：IKP10N60T

型号：IKP10N60T

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 24 A
Pd-功率耗散: 110 W
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP IGBT
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 15.95 mm
长度: 10.36 mm
产品类型: IGBT Transistors
500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 4.57 mm
零件号别名: SP000683062 IKP1N6TXK IKP10N60TXKSA1
单位重量: 6 g

型号：IKP10N60T