产品种类: MOSFET 供应SPA11N65C3

地区:广东 深圳
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型号:SPA11N65C3

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型号:SPA11N65C3


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型号:SPA11N65C3


型号:SPA11N65C3

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.9 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 33 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 5 ns
高度: 16.15 mm
长度: 10.65 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 44 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 4.85 mm
零件号别名: SPA11N65C3XK SP000216318 SPA11N65C3XKSA1
单位重量: 2 g

型号/规格

SPA11N65C3

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-220FP-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

大功率