供应BFP640E6327原装INFINEON品牌

型号：BFP640E6327

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型号：BFP640E6327

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型号：BFP640E6327

型号：BFP640E6327

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
晶体管极性: NPN
工作频率: 40000 MHz
集电极—发射极大电压 VCEO: 4 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.2 V
集电极连续电流: 50 mA
小工作温度: - 65 C
大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
集电极—基极电压 VCBO: 13 V
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
类型: RF Silicon Germanium
宽度: 1.25 mm
零件号别名: BFP640E6327XT

型号：BFP640E6327