供应IPG20N04S4L-08原装INFINEON品牌

型号：IPG20N04S4L-08

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型号：IPG20N04S4L-08

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型号：IPG20N04S4L-08

型号：IPG20N04S4L-08

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms, 7.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 54 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 20 ns, 20 ns
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns, 3 ns
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 7 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000705576 IPG2N4S4L8XT IPG20N04S4L08ATMA1
单位重量: 96.880 mg

型号：IPG20N04S4L-08