供应IKW20N60T原装IR品牌

型号：IKW20N60T

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型号：IKW20N60T

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型号：IKW20N60T

型号：IKW20N60T

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 41 A
Pd-功率耗散: 166 W
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 20.95 mm
长度: 15.9 mm
产品类型: IGBT Transistors
240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 5.3 mm
零件号别名: SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
单位重量: 38 g

型号：IKW20N60T