供应SPB18P06PG原装INFINEON品牌

型号：SPB18P06PG

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型号：SPB18P06PG

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型号：SPB18P06PG

型号：SPB18P06PG

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 18.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 81.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: SIPMOS
系列: SPB18P06
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 小值: 5 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.8 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: SPB18P6PGXT SP000102181 SPB18P06PGATMA1
单位重量: 4 g

型号：SPB18P06PG