SQJ850EP-T1-GE3品牌VISHAY/威世

SQJ850EP-T1-GE3品牌：VISHAY/威世产品属性：

类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商：Vishay Siliconix
系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET
包装：卷带（TR）剪切带（CT）
产品状态：在售
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：23 毫欧 @ 10.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：30 nC @ 10 V
Vgs（大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）:  1225 pF @ 30 V
FET 功能:  -
功率耗散（大值）:  45W（Tc）
工作温度:  -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型:   表面贴装型
供应商器件封装:   PowerPAK  SO-8
封装/外壳:  PowerPAK  SO-8
基本产品编号:  SQJ850

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