现货供应IPD90P04P4L-04

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制造商: Infineon  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: TO-252-3  
晶体管极性: P-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 40 V  
Id-连续漏极电流: 90 A  
Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V  
Qg-栅极电荷: 135 nC  
zui小工作温度: - 55 C  
zui大工作温度: + 175 C  
Pd-功率耗散: 125 W  
现货供应IPD90P04P4L-04
通道模式: Enhancement  
资格: AEC-Q101  
商标名: OptiMOS  
系列: OptiMOS-P2  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Infineon Technologies  
配置: Single  
下降时间: 60 ns  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 20 ns  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 P-Channel  
典型关闭延迟时间: 140 ns  
典型接通延迟时间: 20 ns  
宽度: 6.22 mm  
零件号别名: IPD9P4P4L4XT SP000840194 IPD90P04P4L04ATMA1  
单位重量: 330 mg 
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