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类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Texas Instruments
系列 FemtoFET™
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 2.8V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 1190 毫欧 @ 100mA，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 1.35V @ 2.5μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 0.281 nC @ 10 V
Vgs（大值） 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 10.5 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN
基本产品编号 CSD15380
