MJD112T4G 达林顿晶体管

MJD112T4G  达林顿晶体管

 MJD112T4G  ON厂家产品属性

制造商: onsemi  
产品种类: 达林顿晶体管  
RoHS:  详细信息  
配置: Single  
晶体管极性: NPN  
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 100 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V  
集电极—基极电压 VCBO: 100 V  
zui大直流电集电极电流: 2 A  
zui大集电极截止电流: 20 uA  
Pd-功率耗散: 20 W  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)  
zui小工作温度: - 65 C  
zui大工作温度: %2B 150 C  
系列: MJD112  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: onsemi  
集电极连续电流: 2 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200, 500, 1000  
高度: 2.38 mm  
长度: 6.73 mm  
产品类型: Darlington Transistors  
工厂包装数量: 2500  
子类别: Transistors  
宽度: 6.22 mm  
单位重量: 470 mg

 MJD112T4G  ON厂家产品图片：

深圳市凯信扬科技有限公司

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