供应ZXMP10A18GTA ICP沟道 漏源电压

地区:广东 深圳
认证:

深圳市芯镁瑞电子有限公司

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全部产品 进入商铺
包装 卷带(TR)剪切带(CT)
产品状态 在售  
FET 类型 P 通道  
技术 MOSFET(金属氧化物)  
漏源电压(Vdss) 100 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Ta)  
驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On) 6V,10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值) 150 毫欧 @ 2.8A,10V  
不同 Id 时 Vgs(th)(zui大值) 4V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(zui大值) 26.9 nC @ 10 V  
Vgs(zui大值) ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值) 1055 pF @ 50 V  
FET 功能 -  
功率耗散(zui大值) 2W(Ta)  
工作温度 -55?C ~ 150?C(TJ)  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 SOT-223-3  
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA  
基本产品编号 ZXMP10 

制造商: Diodes Incorporated  

产品种类: MOSFET  
技术: Si  
ZXMP10A18GTA安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: SOT-223-4  
晶体管极性: P-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 100 V  
Id-连续漏极电流: 3.7 A  
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  
Qg-栅极电荷: 26.9 nC  
工作温度: - 55 C  
工作温度: %2B 150 C  
Pd-功率耗散: 3.9 W  
通道模式: Enhancement  
系列: ZXMP10A  
ZXMP10A18GTA封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Diodes Incorporated  
配置: Single  
下降时间: 17.9 ns  
正向跨导 - 值: 6 S  
高度: 1.65 mm  
长度: 6.7 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 6.8 ns  
ZXMP10A18GTA工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 P-Channel  
典型关闭延迟时间: 33.9 ns  
典型接通延迟时间: 4.6 ns  
宽度: 3.7 mm  
ZXMP10A18GTA单位重量: 112 mg 
我们公司是一家做集成电路(IC)独立分销商,主营:WINBOND,XINLIN,ADI,TI,ST,并为客户提供一站式的服务.

主要业务:
1: 提供大量的原装现货库存,为客户提供产品的配单;
2: 支持小批量订购,国外现货5-7天到深圳;
3: 为客户助寻偏门.冷门.紧缺.及停产器件,
ZXMP10A18GTA
服务领域:
公司关注高端产品路线,产品广泛应用于通讯网络、航空航天、军事设备、医疗机械、精密仪器、工控等领域  

型号/规格

ZXMP10A18GTA

品牌/商标

DIODES/美台

封装

SOT223

批号

22+

数量

1000/盘