供应SI8483DB-T2-E1品牌VISHAY

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中扬电子成立于2016年,公司总部位于香港,且在深圳,美国,英国,日本,新加坡、以色列、港澳台地区设立专门的销售及采购部门,并与欧美,日韩等国数百家原厂及代理商签订了战略合作协议,现已发展成为国内的IC混合型的电子元器件分销商,目前是电子元器件独立分销商之一。作为业内的电子元器件代理分销商,一直专注于IC电子产品的销售、推广及配套服务,长期稳定的优势供货渠道和小批量的样品配套服务以及短缺紧急物料供应。快4小时内发货。中扬电子现货库存超过20万种,价值数亿元人民币,公司创史人曾在XILINX、Altera Corporation、Analog Devices Inc原厂工作过,积累了广阔的人脉渠道资源,主要为高端FPGA产品资源打下了牢固的渠道资源,为中扬电子的发展奠定了坚固的基础。中扬电子的每一片芯片都来自原厂,我们是IC原厂搬运工.公司主打优势品牌XILINX 、ALTERA、TI、ADI、SAMSUNG 、FREESCALE、MICRON、HYNIX、ATMEL、AEORFLEX、MICROSEMI、ACTEL。公司主要走高端产品路线,涉及造船,工控,卫星导航,宇航航天,医疗机械,雷达,工程勘探,采油测井,能源转换,电子通讯,电力系统,科研院所等工业所需DDR、ARM、SDRAM、FLASH、FPGA、等存储器及可编程逻辑高端芯片!

SI8483DB-T2-E1参数:

制造商: Vishay  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  SI8483DB-T2-E1详细信息  
技术: Si  
SI8483DB-T2-E1安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: MicroFoot-6  
晶体管极性: P-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 12 V  
Id-连续漏极电流: 16 A  
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV  
Qg-栅极电荷: 65 nC  
工作温度: - 55 C  
工作温度: + 150 C  
Pd-功率耗散: 13 W  
通道模式: Enhancement  
商标名: TrenchFET  
系列: SI8  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Vishay Semiconductors  
配置: Single  
下降时间: 10 ns  
正向跨导 : 10 S  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 25 ns  
工厂包装数量: 3000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 P-Channel  
典型关闭延迟时间: 40 ns  
典型接通延迟时间: 20 ns  
单位重量: 128.380 mg 

SI8483DB-T2-E1

型号/规格

SI8483DB-T2-E1

品牌/商标

VISHAY/威世

封装

BGA-6

批号

22+

数量

6000