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供应 SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET

地区：广东 深圳
认证： 无

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供应  SI6562CDQ-T1-GE3  MOSFET

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FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.7A，6.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
22 毫欧 @ 5.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
1.5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
23nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
850pF @ 10V
功率 - zui大值
1.6W，1.7W
工作温度
-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-TSSOP
基本产品编号
SI6562

安诺纬尔科技有限公司，专注国际品牌原装电子元器件，以诚信经营，快捷服务为宗旨，欢迎意向客户询单。

联系方式：18665802812, QQ 2482294489  曹先生



型号/规格

SI6562CDQ-T1-GE3

品牌/商标

VISHAY

封装形式

8-TSSOP

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装