IC DMG6601LVT-7 品牌 DIODES/美台

IC DMG6601LVT-7 品牌 DIODES/美台 封装 TSOT-26产品属性：类型描述选择 
类别 分立半导体产品FET、MOSFET 阵列  
制造商 Diodes Incorporated  
系列 -  
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 N 和 P 沟道  
FET 功能 逻辑电平门  
漏源电压（Vdss） 30V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.8A，2.5A  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 55 毫欧 @ 3.4A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 1.5V @ 250μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） 12.3nC @ 10V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 422pF @ 15V  
功率 - zui大值 850mW  
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  
供应商器件封装 TSOT-26  
基本产品编号 DMG6601 
IC DMG6601LVT-7 品牌 DIODES/美台 封装 TSOT-26产品供应商优势：