IC SI7489DP-T1-E3 品牌 VISHAY 封装 QFN8

IC SI7489DP-T1-E3 品牌 VISHAY 封装 QFN8产品属性：类型描述选择 
类别 分立半导体产品单 FET，MOSFET  
制造商 Vishay Siliconix  
系列 TrenchFET®  
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 P 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 100 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A（Tc）  
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 41 毫欧 @ 7.8A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 3V @ 250μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） 160 nC @ 10 V  
Vgs（zui大值） ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 4600 pF @ 50 V  
FET 功能 -  
功率耗散（zui大值） 5.2W（Ta），83W（Tc）  
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8  
封装/外壳 PowerPAK® SO-8  
基本产品编号 SI7489 
IC SI7489DP-T1-E3 品牌 VISHAY 封装 QFN8产品优势：