JFE2140DR超低噪声低栅极电流N 沟道 JFET

全新原装现货价格优势，更多系列尽在宇集芯电子

JFE2140DR

双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

FE2140是一种毛棕色™ 匹配对离散JFET采用德克萨斯仪器公司的现代高性能模拟双极工艺制造。JFE2140的特点是以前在较旧的分立JFET技术中无法获得的性能。JFE2140在所有电流范围内都具有出色的噪声性能，用户可以将静态电流设置为50μA至20 mA。当偏置在5毫安时，该器件产生0.9毫伏/√Hz的输入参考噪声，提供超低噪声性能和极高的输入阻抗（>1 TΩ）。此外，JFET之间的匹配测试为±4 mV，确保差分对配置的低偏移和高共模抑制比性能。JFE2140还具有连接到单独箝位节点的集成二极管，以在不添加高泄漏非线性外部二极管的情况下提供保护。

JFE2140可以承受40 V的高漏极至源极电压，以及低至-40 V的栅极至源极和栅极至漏极电压。规定的温度范围为-40°C至+125°C。

超低噪音：

电压噪声：

0.9内华达州/√1 kHz时的频率，IDS=5 mA

1.1内华达州/√1 kHz时的频率，IDS=2 mA

当前噪声：1.6 fA/√1 kHz时的频率

低VG失配：4 mV（较大值）

低栅极电流：10 pA（较大值）

低输入电容：VDS=5 V时为13 pF

高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压：–40 V

高跨导：30毫秒

封装：SOIC，2毫米×2毫米WSON

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JFE2140DR

双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

FE2140是一种毛棕色™ 匹配对离散JFET采用德克萨斯仪器公司的现代高性能模拟双极工艺制造。JFE2140的特点是以前在较旧的分立JFET技术中无法获得的性能。JFE2140在所有电流范围内都具有出色的噪声性能，用户可以将静态电流设置为50μA至20 mA。当偏置在5毫安时，该器件产生0.9毫伏/√Hz的输入参考噪声，提供超低噪声性能和极高的输入阻抗（>1 TΩ）。此外，JFET之间的匹配测试为±4 mV，确保差分对配置的低偏移和高共模抑制比性能。JFE2140还具有连接到单独箝位节点的集成二极管，以在不添加高泄漏非线性外部二极管的情况下提供保护。

JFE2140可以承受40 V的高漏极至源极电压，以及低至-40 V的栅极至源极和栅极至漏极电压。规定的温度范围为-40°C至+125°C。

超低噪音：

电压噪声：

0.9内华达州/√1 kHz时的频率，IDS=5 mA

1.1内华达州/√1 kHz时的频率，IDS=2 mA

当前噪声：1.6 fA/√1 kHz时的频率

低VG失配：4 mV（较大值）

低栅极电流：10 pA（较大值）

低输入电容：VDS=5 V时为13 pF

高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压：–40 V

高跨导：30毫秒

封装：SOIC，2毫米×2毫米WSON