SCT2H12NYTB分立半导体

全新原装进口现货，价格优势，宇集芯您的优选SCT2H12NYTB   SCT2H12NYTB   SCT2H12NYTB分立半导体

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）

1700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A（Tc）

驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）

18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（较大值）

1.5 欧姆 @ 1.1A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（较大值）

4V @ 410μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（较大值）

14 nC @ 18 V

Vgs（较大值）

+22V，-6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（较大值）

184 pF @ 800 V

FET 功能

-

功率耗散（较大值）

44W（Tc）

工作温度

175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-268

封装/外壳

TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA