JFE2140DR低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

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JFE2140 的说明

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为 50 μA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时，该器件会产生 0.9 nV/√Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外，可按照 ±4 mV 测试 JFET 之间的匹配性，确保差分对配置具有低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

JFE2140 的特性

超低噪声：

电压噪声：

1 kHz 时为 0.9 nV/√Hz，IDS = 5 mA

1 kHz 时为 1.1 nV/√Hz，IDS = 2mA

电流噪声：1 kHz 时为 1.6 fA/√Hz

低 VGS 失配：4 mV（较大值）

低栅极电流：10 pA（较大值）

低输入电容：VDS = 5V 时为 13 pF

高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V

高跨导：30 mS