供应PD85004 射频金属氧化物半导体场效应

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制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:	详细信息
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Id-连续漏极电流:	2 A
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
工作频率:	1 GHz
增益:	17 dB
输出功率:	4 W
工作温度:	- 65 C
工作温度:	%2B 150 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-89-4
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
通道模式:	Enhancement
配置:	Single
高度:	1.6 mm
长度:	4.6 mm
湿度敏感性:	Yes
Pd-功率耗散:	6 W
产品类型:	RF MOSFET Transistors
系列:	PD85004
工厂包装数量:	2500
子类别:	MOSFETs
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	15 V
宽度:	2.6 mm
单位重量:	130.500 mg

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