晶体管IPD90N04S4L04ATMA1

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晶体管IPD90N04S4L04ATMA1产品属性
类型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个  
制造商 Infineon Technologies  
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS  
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET(金属氧化物)  
漏源电压(Vdss) 40 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A(Tc)  
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V  
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 2.2V @ 35?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 60 nC @ 10 V  
Vgs(值) %2B20V,-16V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 4690 pF @ 25 V  
FET 功能 -  
功率耗散(值) 71W(Tc)  
工作温度 -55?C ~ 175?C(TJ)  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 PG-TO252-3-313  
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 %2B 接片),SC-63  
基本产品编号 IPD90N 
类型
描述
选择 
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压( Rds On, Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)
3.8 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值)
2.2V @ 35?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)
60 nC @ 10 V
Vgs(值)
%2B20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)
4690 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(值)
71W(Tc)
工作温度
-55?C ~ 175?C(TJ)
安装类型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
基本产品编号


晶体管IPD90N04S4L04ATMA1产品图片


晶体管IPD90N04S4L04ATMA1供应商介绍:

深圳市励芯恒智能科技有限公司,经营电子元器件,主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

晶体管IPD90N04S4L04ATMA1供应商仓库:



型号/规格

IPD90N04S4L04ATMA1

品牌/商标

Infineon

封装

TO-252-3

批号

22+

数量

10000

说明

原装现货