晶体管 - IPD90N04S403ATMA1

地区：广东深圳

认证：无

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产品属性
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晶体管 - IPD90N04S403ATMA1产品属性
类型描述选择
类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS
包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 3.2 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 53?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 66.8 nC @ 10 V
Vgs（值） ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 5260 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（值） 94W（Tc）
工作温度 -55?C ~ 175?C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 %2B 接片），SC-63
基本产品编号 IPD90N

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商	Infineon Technologies
系列	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)	90A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）	3.2 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）	4V @ 53?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）	66.8 nC @ 10 V
Vgs（值）	?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）	5260 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（值）	94W（Tc）
工作温度	-55?C ~ 175?C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3-313
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 %2B 接片），SC-63
基本产品编号	IPD90N

晶体管 - IPD90N04S403ATMA1产品图片

晶体管 - IPD90N04S403ATMA1供应商介绍：

深圳市励芯恒智能科技有限公司，经营电子元器件，主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子.

晶体管 - IPD90N04S403ATMA1供应商仓库：

型号/规格

IPD90N04S403ATMA1

品牌/商标

Infineon

封装

TO-252-3

批号

22+

数量

20000

说明

原装现货