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晶体管单个IRFP4368PBF

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市励芯恒智能科技有限公司

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晶体管单个IRFP4368PBF产品属性
类型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个  
制造商 Infineon Technologies  
系列 HEXFET  
包装 管件  
Product Status 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 75 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A（Tc）  
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 1.85 毫欧 @ 195A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 570 nC @ 10 V  
Vgs（值） ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 19230 pF @ 50 V  
FET 功能 -  
功率耗散（值） 520W（Tc）  
工作温度 -55?C ~ 175?C（TJ）  
安装类型 通孔  
供应商器件封装 TO-247AC  
封装/外壳 TO-247-3  
基本产品编号 IRFP4368 

 

类型
描述
选择 
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）
1.85 毫欧 @ 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）
4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）
570 nC @ 10 V
Vgs（值）
?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）
19230 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（值）
520W（Tc）
工作温度
-55?C ~ 175?C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IRFP4368


晶体管单个IRFP4368PBF产品图片


晶体管单个IRFP4368PBF供应商介绍：

深圳市励芯恒智能科技有限公司，经营电子元器件，主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

晶体管单个IRFP4368PBF供应商仓库：



型号/规格

IRFP4368PBF

品牌/商标

Infineon Technologies

环保类别

无铅环保型

安装方式

通孔

主要用途

其他