晶体管 - IPB107N20N3GATMA1
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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类型
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描述
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选择
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类别
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制造商
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系列
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包装
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卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel? 得捷定制卷带
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产品状态
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在售
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FET 类型
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）
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10.7 毫欧 @ 88A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（值）
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4V @ 270?A
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）
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87 nC @ 10 V
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Vgs（值）
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?20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）
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7100 pF @ 100 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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300W（Tc）
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工作温度
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-55?C ~ 175?C（TJ）
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安装类型
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供应商器件封装
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PG-TO263-3
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封装/外壳
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基本产品编号
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晶体管 - IPB107N20N3GATMA1产品图片
晶体管 - IPB107N20N3GATMA1供应商介绍：
深圳市励芯恒智能科技有限公司，经营电子元器件，主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络
晶体管 - IPB107N20N3GATMA1供应商仓库：
IPB107N20N3GATMA1
Infineon
TO-263-3
最新
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原装现货
